“垒层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2494521个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构-CN200610064882.3无效
发明人：金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-03-16 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构，其特征在于，其中包括：一下势垒层，该下势垒层是下述量子阱层的势垒；一量子阱层，该量子阱层位于下势垒层上面，并且该量子阱层的带隙小于上述下势垒层以及下述间隔势垒层的带隙；一间隔势垒层，该间隔势垒层位于量子阱层上面，该间隔势垒层同时作为上述量子阱层和下述量子点层的势垒将量子阱层与量子点层分开；一量子点层，该量子点层位于间隔势垒层上面，在上述间隔势垒层与下述上势垒层共同作用下，在该量子点层内将形成三维量子化的分立能级；一上势垒层，该上势垒层位于量子点层上面，是量子点层的势垒。
半导体量子阱导带内跃迁材料结构

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN202111587978.9在审
发明人：安倍弘喜;山下智也;打田贤司 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：多个势垒层中位于第一势阱层之间的至少一个势垒层和多个势垒层中位于第二势阱层之间的至少一个势垒层包含含有n型杂质的第一势垒层、和含有n型杂质浓度比第一势垒层低的n型杂质且位于比第一势垒层靠p侧氮化物半导体层侧的第二势垒层，位于第一势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度比位于第二势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度高，多个势垒层中位于第一势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差比多个势垒层中位于第二势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差大。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]一种具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管-CN201810984729.5在审
发明人：郑雪峰;郝跃;马晓华;白丹丹;吉鹏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底层，位于所述衬底层上的缓冲层，位于所述缓冲层上的沟道层；位于所述沟道层上的复合势垒层，其中，所述复合势垒层包括第一势垒层、第二势垒层和位于第一势垒层和第二势垒层之间的第三势垒层；位于所述第二势垒层上的阴极；位于所述第一势垒层上的复合阳极；位于所述第一势垒层上的本征GaN帽层。本发明实施例具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压，缓解了器件击穿电压与开启电压之间的矛盾，改善了器件的击穿特性和可靠性。
势垒层复合势垒肖特基势垒二极管器件击穿电压开启电压衬底层沟道层缓冲层阴极复合阳极击穿特性本征减小帽层缓解矛盾

[发明专利]砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法-CN200510086639.7无效
发明人：牛智川;倪海桥;韩勤;张石勇;吴东海;赵欢;杨晓红;彭红玲;周志强;熊永华;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势垒层上；一GaInNAsSb量子阱层，该GaInNAsSb量子阱层制作在第一GaNAs势垒层上；一第二GaNAs势垒层，该第二GaNAs势垒层制作在GaInNAsSb量子阱层上；一第GaAs势垒层，该第二GaAs势垒层制作在第二GaNAs势垒层上；一GaAs覆盖层，该GaAs覆盖层制作在第二GaAs势垒层上。
砷化镓基 1.5 微米量子结构及其外延生长方法

[发明专利]p-GaN基增强型HEMT器件-CN201810220253.8有效
发明人：金峻渊;魏进 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种p‑GaN基增强型HEMT器件，包括：衬底；在所述衬底上的过渡层；在所述过渡层上的沟道层；在所述沟道层上的势垒层；在所述势垒层上的p‑GaN层；以及，在所述势垒层和所述p‑GaN层上的源极、漏极、栅极和介质层；所述势垒层包括势垒层A和势垒层B，所述势垒层A与所述势垒层B交替层叠；所述势垒层A的禁带宽度大于所述势垒层B的禁带宽度。在势垒层较厚的情况下，获得了较大正值的阈值电压，提高了HEMT器件的工作效率。
gan 增强 hemt 器件

[发明专利]磁隧道结势垒层及势垒叠层制备方法-CN202111680399.9在审
发明人：高扬;宫俊录 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结势垒层制备方法，包括：形成至少一层第一势垒层，其中，每一层第一势垒层的形成包括：采用金属氧化物进行沉积，形成待处理的第一势垒层；将所述待处理的第一势垒层暴露于氧化环境进行氧处理，形成预处理的第一势垒层；对所述预处理的第一势垒层进行热处理，形成第一势垒层。本发明提供的磁隧道结势垒层及势垒叠层制备方法，能够优化势垒层的结晶质量以及改善界面质量。
隧道结势垒层势垒叠层制备方法

[发明专利]一种外延片、外延片制备方法及发光二极管-CN202310266386.X有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片、外延片制备方法及发光二极管，外延片包括：多量子阱层，多量子阱层包括交替堆叠的量子阱层和量子垒层，量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层、第三量子垒子层、第四量子垒子层以及第五量子垒子层；第一量子垒子层为N型InGaN层、第二量子垒子层和第四量子垒子层均为非掺GaN层、第三量子垒子层为P型AlInGaN层、以及第五量子垒子层为P型InGaN层，第一量子垒子层的In组分由靠近量子阱层的一端向另一端逐渐降低，第五量子垒子层的In组分由靠近量子阱层的一端向另一端逐渐升高。本发明解决了现有技术中的外延片由于量子阱层与量子垒层晶格失配增大而导致发光效率低的问题。
一种外延制备方法发光二极管

[发明专利]一种紫外LED及其制备方法-CN202010078729.6在审
发明人：万志;卓祥景;蔺宇航;尧刚;程伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种紫外LED及其制作方法，该LED包括：衬底；缓冲层；电流扩展层；多量子阱有源层；超晶格电子阻挡层，其中，多量子阱有源层包括量子垒结构和量子阱结构，量子垒结构包括第一量子垒层、第二量子垒层和第三量子垒层，第二量子垒层的Al组分高于第一量子垒层和第三量子垒层的Al组分，使得量子垒结构中的Al组分呈阶梯状，以利用第二量子垒层较高的Al组分形成高势垒，从而实现较强的电子阻挡作用，同时利用第一量子垒层和第三量子垒层较低的Al组分，减小量子垒结构和量子阱结构之间的应力，削弱多量子阱有源层中的极化电场，提高多量子阱有源层的辐射复合速率，提高紫外LED的发光功率。
一种紫外 led 及其制备方法

[发明专利]发光器件及其制造方法和发光器件封装-CN201210135243.7有效
发明人：元钟学 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：该发光器件包括有源层，该有源层包括多个阱层和多个势垒层。多个势垒层包括第一势垒层，距离第二导电类型半导体层最近，第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近第一势垒层，第二势垒层具有第三带隙；以及至少一个第三势垒层，位于第二势垒层和第一导电类型半导体层之间并具有第一带隙多个阱层包括第一阱层，位于第一势垒层和第二势垒层之间，第一阱层具有第二带隙；以及第二阱层，位于第二势垒层和至少一个第三势垒层之间。第二势垒层设置在第一阱层和第二阱层之间，并且第三带隙比第一带隙窄而比第二带隙宽。本发明的有源层的内部量子效率得以提高。因而，可以改善从有源层发出的光的色彩纯度。
发光器件及其制造方法封装

[发明专利]共振隧穿二极管及其制作方法-CN202180094221.8在审
发明人：程凯;刘凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本申请提供了一种共振隧穿二极管及其制作方法，共振隧穿二极管包括：第一势垒层，第二势垒层以及位于第一势垒层与第二势垒层之间的势阱层，第一势垒层、第二势垒层以及势阱层的材料为Ⅲ族氮化物，势阱层的材料包含Ga元素；第一势垒层与势阱层之间设置有第一隔离层，和/或第二势垒层与势阱层之间设置有第二隔离层。利用第一隔离层与第二隔离层，阻挡势阱层中的Ga原子向第一势垒层与第二势垒层扩散，保证第一势垒层与第二势垒层的组分均一、防止有效厚度变薄，从而改善器件稳定性及峰谷电流比。
共振二极管及其制作方法

[发明专利]肖特基势垒制作方法及肖特基势垒-CN201410758156.6在审
发明人：姜硕;唐冬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒制作方法，该方法包括如下步骤a.在硅片上形成低势垒金属层；b.在低势垒金属层上形成包覆所述低势垒金属层的电极金属层，形成硅片-低势垒金属-电极金属层结构；c.对所述硅片-低势垒金属-电极金属层结构进行热处理。本发明还公开了一种肖特基势垒。根据本发明的肖特基势垒制作方法和肖特基势垒利用外部的电极金属层对内部的低势垒金属层形成保护，防止低势垒金属层氧化而引起势垒参数不稳定的问题。另外，形成势垒的同时，电极金属层也同时形成，制作肖特基产品时不需要后续进行正面电极金属淀积处理。
肖特基势垒制作方法

[发明专利]一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件-CN202110258496.2在审
发明人：张晖;孔苏苏;李仕强;周文龙;谈科伟;杜小青 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：其中，半导体器件的外延结构包括衬底，以及依次位于衬底一侧的背势垒层、沟道层和势垒层，势垒层与沟道层之间形成有二维电子气，背势垒层包括AlxGa1‑xN背势垒层，或者，背势垒层包括InxGa1‑xN背势垒层。本发明实施例提供的半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，通过在沟道层靠近衬底的一侧设置背势垒层，且背势垒层包括AlxGa1‑xN背势垒层或InxGa1‑xN背势垒层，以抬高背势垒层一侧的导带，从而提高了背势垒层一侧的势垒，增加2DEG的限域能力，使得在沟道层和势垒层的界面处形成的高浓度2DEG不易向背势垒层泄露，进而降低背势垒层的漏电，提高半导体器件的击穿电压。
一种半导体器件外延结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构-CN202080102512.2在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括沟道层和设于所述沟道层上的势垒层，所述势垒层包括层叠设置的多层子势垒层，多层所述子势垒层中至少存在三层所述子势垒层，且多层所述子势垒层中的Al组分配比值沿所述势垒层的生长方向呈至少一次上下波动变化本申请通过设置至少三层的多层子势垒层，多层子势垒层中的Al组分配比值沿所述势垒层的生长方向呈至少一次上下波动变化，而使所述半导体结构形成的能带在势垒层形成一个或者多个量子阱，避免正向漏电。
半导体结构

[实用新型]一种高增益有源区及一种VCSEL-CN201922086177.9有效
发明人：田宇;杜石磊;韩效亚;吴真龙 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高增益有源区及一种VCSEL，高增益有源区包括至少一个量子阱垒层，所述量子阱垒层包括层叠的垒层和阱层，所述垒层包括依次层叠的未掺杂第一垒层、P型掺杂第二垒层和未掺杂第三垒层，所述P型掺杂第二垒层远离所述阱层设置未掺杂第一垒层、P型掺杂第二垒层和未掺杂第三垒层构成的垒层与阱层形成P型阻挡结构，有效增加了有源区中的空穴注入量，从而增加电子与空穴的复合几率，提高微分增益，减少电子溢流。
一种增益有源 vcsel

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201410222155.X有效
发明人：孙玉芹;王江波;刘榕 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，有源层包括交替生长的量子阱层和量子垒层，量子阱层为InGaN层，量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，第二量子垒层为有源层中最靠近P型层的一个量子垒层，第一量子垒层为除第二量子垒层以外的量子垒层，第一量子垒层为GaN层，第二量子垒层包括交替生长的第一子层和第二子层，第一子层为GaN层，第二子层为AlGaN层。本发明通过将有源层中最靠近P型层的量子垒层改为交替生长的GaN层和AlGaN层，提高了发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延及其制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条